电磁感应还被用来为MEMS器件供电。MEMS器件，尤其是内置执行器的微型器件对电源有特殊要求，这里无线供电就显示出它的优越性，没有物理限制，高电压和高功率可能性。实验采用类似于铁氧体变压器结构形式，初级线圈绕在磁芯上，次级级圈则制作在硅片上，由于次级线圈是分离的，磁芯一臂留有空隙，以便芯片放置在其中。变压器的具体参数列于表1。

　　上面已提及，变压器的耦合系数是个重要参数，其效率直接与它有关。就目前这种结构而言，效率肯定要打折扣。为了提高优值，初级线圈的绕制方法十分关键。图6列举了三种绕制方法，初级绕在磁芯的主臂上，初级绕在磁芯副臂的一侧，初级分别绕制在磁芯空隙的两侧。图6下面示出了三种绕制方法的实测耦合系数，可以看出，第三种绕制方法有较高的效率。实际使用2mm空隙，效率可达80%。芯片上的寄生电容限制了变压器工作频率在几个MHz，产生的电压可达223.4Vpp，功率达4.5Wrms。

　　图6 三种绕制方法及其相应的耦合系数